三星gaa工艺（海尔热水器维修电话

三星gaa工艺

　　韩国三星发布最新财报时也宣布，计划2022下半年商业化生产全球首创的闸极全环晶体管（Gate-All-Around，GAA）技术芯片。新制程技术与代工龙头台积电5纳米节点鳍式场效晶体管(FinFET) 技术相比，有晶体管密度的优势。

　　三星代工市场战略团队负责人Moonsoo Kang表示，2022上半年第一代GAA技术，就是3GAAE制程技术将量产，到了下半年开始商业化生产。三星将继续照计划开发第二代GAA技术，也就是3GAAP（3nm Gate-All-Around Plus），时间点与三星2021年6月宣布的进程大致相同。

　　三星3纳米制程技术预计有两种型号3GAAE和3GAAP，基于纳米片结构设计，鳍中有多个横向带状线。此纳米片设计被研究机构IMEC当成FinFET后续产品而有大量讨论，并由IBM与三星和格芯(Globalfoundries) 合作研究。三星执行副总裁兼代工销售和营销主管Charlie Bae表示，将GAA结构用于三星下一代制程节点，使三星率先打开新智能网络世界，也加强三星技术领先地位。

　　照技术人员的观点，GAA技术芯片，在晶体管能提供比FinFET技术有更好静电特性，满足某些栅极宽度的需求，这主要表现在增强同等芯片尺寸结构下GAA沟道控制能力，让芯片尺寸有更微缩的可能性。对比传统FinFET沟道仅三面被栅极包围，GAA以纳米线沟道设计使沟道整个外轮廓都被栅极完全包覆，代表栅极对沟道的控制性能更好。

　　三星研究人员将全环栅（GAA）晶体管设计的3纳米CMOS技术称为多桥信道（MBC）架构，纳米片（nanosheets）水准层制成的沟道完全被栅极结构包围。三星表示技术有高度可制造性，因利用三星现有约90%的FinFET制造技术，只需少量修改过的光罩。此技术有出色的栅极可控性，比同样三星FinFET技术高31%，且因纳米片信道宽度可通过直接图像化改变，让设计有更高灵活性。

　　面对三星3纳米制程抢先采用GAA技术，台积电Gate-all-around FETs (GAAFET) 研发仍是发展蓝图的一部分。台积电先前传出预计“后N3”制程技术也就是可能N2制程节点使用。有市场人士认为，台积电处于下一代材料和制程技术的发展阶段，新材料和制程技术会在未来多年使用。

　　台积电曾指出，对先进CMOS逻辑，3纳米和2纳米CMOS制程节点顺利进行。台积电还加强前瞻性研发，重点放在2纳米以外节点及3D晶体管、新内存和low-R interconnect等领域，有望为许多技术平台奠定发展基础。值得注意的是，台积电正在扩大Fab 12研发运营能力，研究开发N3、N2和更高端制程节点。

　　(首图来源：shutterstock)

　　据3月7日外媒消息，三星Galaxy M21已确定将于3月16日在印度推出，与此同时，三星Galaxy M21的配置以及参数也公布了不少。

　　（图为三星Galaxy M31）

　　相较于三星之前在印度推出过的售价1500元人民币的三星Galaxy M31，三星Galaxy M21的价格可能会更低一些，而三星选择在印度发布新机可能是因为三星的中端产品在印度一直有不错的销量表现。

　　这次即将推出的三星Galaxy M21预计搭载三星Exynos 9611处理器，采用6.4英寸AMOLED屏幕，后置4800万像素三摄且前置2000万单摄。电池容量6000mAh，在续航方面相当强悍。据外媒消息，三星Galaxy M21将拥有6GB内存，并可能提供64GB和128GB两种存储选项，并且加入了全新的绿色配色。

　　从外网发布消息的评论区来看，目前在三星Galaxy M21发布前广大用户普遍最关注的还是手机的价格以及在欧洲其他国家能否买到的问题，消息一出我们将第一时间为大家报道，一起期待吧！

　　编辑：NJNR308

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